磁控濺射鍍膜機尤其適用反映堆積表層的鍍膜。實際上，這類工藝技術可以堆積一切金屬氧化物、滲碳體和氮化合物塑料薄膜。除此之外，該加工工藝還非常適用雙層膜結構工程的堆積，包含光學系統(tǒng)、五顏六色塑料薄膜、耐磨涂料、納米技術層疊、超晶格常數(shù)鍍層、絕緣層塑料薄膜等。早在1970年，就會有高品質的光學薄膜堆積實例。早已研發(fā)了多種多樣光學薄膜原材料，包含全透明導電性原材料、半導體材料、高聚物、金屬氧化物、滲碳體、氮化合物等。

　　磁控濺射鍍膜機具有下列特性：

　　1、堆積速度大。

　　2、大功率。磁控濺射靶一般挑選200伏-1000伏范疇內的工作電壓，通常是600伏，由于600伏的工作電壓恰好在輸出功率高效率的大合理區(qū)域內。

　　3、濺射動能低。磁控管靶工作電壓低，電磁場限定了負極周邊的等離子，可以阻攔動能較高的自由電子進到襯底。

　　4、硅片溫度低。運用陽極氧化導電性充放電全過程中形成的電子器件而不接地裝置基座，可以合理地降低電子對基材原材料的沖擊性。因而，該板材具備較低的溫度，特別適合于一些耐熱功能不佳的塑膠板材的噴涂。

　　5、磁控濺射靶表層不勻稱刻蝕。磁控濺射靶表層離子注入不均勻分布是因為靶材電磁場不均衡導致的，靶材部分部位離子注入率高，促使靶材合理使用率低(利用率僅為20%-30%)。因而，為了更好地提升靶材的使用率，必須根據(jù)一定的方式更改電磁場遍布或是挪動負極中的磁石，那樣還可以提升靶材的使用率。

　　6、可制做復合靶鍍鋁合金膜。

　　7、運用范疇很廣。磁控濺射中包含多種多樣可沉積原素，如Ag、Au、C、Co、Cu、Fe、Ge、Mo、Nb、Ni、Os、Cr、Pd、Pt、Re、Rh、Si、Ta、Ti、Zr、SiO、AlO、GaAs、U、W、SnO等。

磁控濺射鍍膜機